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一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法

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成果名称：	一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法	关键字：		应用行业：	请选择...
高新技术领域：	请选择...	所在地：		知识产权类型：	发明专利
知识产权编号：	ZL201811278441	成果体现形式：		成果属性：
成果所处阶段：		成果水平：	请选择...	研究形式：
学科分类：		战略新兴产业：	请选择...	课题来源：
第一完成单位名称：	河北大学	第一完成单位属性：		技术成熟度：
合作方式：	请选择...	交易价格(万)：	9.00	所属十强产业：

本发明提供了一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法。所述晶硅异质结太阳电池的结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。所述含钼氧硫的空穴引出层可以为MoO3‑xSx单层薄膜结构，也可以为MoO3‑xSx/MoO3双层薄膜结构，对于后者，MoO3层应与第一隧穿层接触。本发明所制备出来的基于含钼氧硫的空穴引出层的晶硅异质结太阳电池，能有效降低材料的缺陷态密度和载流子表面复合速率，提高电池短路电流和内建电场。含钼氧硫的空穴引出层对空穴的选择性可调，且制作工艺简单，具有较高的产业化推广应用价值。