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一种SiC晶须的制备方法
成果名称: | 一种SiC晶须的制备方法 | 关键字: | 应用行业: | 请选择... | |
高新技术领域: | 请选择... | 所在地: | 知识产权类型: | 发明专利 | |
知识产权编号: | ZL201910115067 | 成果体现形式: | 成果属性: | ||
成果所处阶段: | 成果水平: | 请选择... | 研究形式: | ||
学科分类: | 战略新兴产业: | 请选择... | 课题来源: | ||
第一完成单位名称: | 华北理工大学; | 第一完成单位属性: | 技术成熟度: | ||
合作方式: | 请选择... | 交易价格(万): | 2.00 | 所属十强产业: |
本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,属于SiC制备技术领域,该方法取聚硅氧烷置于容器中;向盛有聚硅氧烷的容器中滴入适量氯铂酸酒精溶液;用磁力搅拌器搅拌;将混合后的溶液放在鼓风干燥箱中180℃交联;将交联后的聚硅氧烷制成粉体;分别筛分出粒径为280um‑450um,154um‑180um,150um‑154um的不同粉末;用所制得的不同粒径交联粉末包埋不同的石墨基体,用管式气氛炉进行1500℃高温烧结。该方法以不同厚度石墨基体为生长平台,通过改变基体形态和粉体粒度,控制包埋深度,制备不同形态晶须。本发明的制备SiC晶须方法,生产过程简单,操作性强,生产成本低,可生长不同形态的高品质SiC晶须,拓展其增强体和吸波材料领域的应用。
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杜女士
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