氮化物半导体衬底材料制备工艺的研发面临的主要技术难题包括：

1．制备技术难度大：氮化物半导体衬底材料的制备需要在高温、高压、高真空等极端条件下进行，艺难度较大，如何顺利进行。

2．产品均匀性控制困难：氮化物半导体衬底材料的制备过程中，材料的化学成分、晶体结构、缺陷等因素对产品质量有很大影响，如何实现产品的均匀性控制。

3．制备成本较高：氮化物半导体衬底材料的制备需要使用高纯度的原材料，且制备过程需要大量的能源消耗，导致制备成本较高，如何降低成本。

4．生产效率不高：目前的氮化物半导体衬底材料制备工艺生产效率不高，难以满足大规模生产的需求，如何大规模生产。