大面积石墨烯无损洁净转移方法技术的研发需求背景主要有以下几个方面：

• 石墨烯的优异性质：石墨烯具有优异的电学特性、极高的电子迁移率，在二维材料场效应晶体管领域引起了研究人员极大关注。

• 传统转移方法的局限性：传统的石墨烯转移方法是采用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为转移媒介，再利用丙酮溶解去除PMMA。然而，PMMA通常难以完全去除，导致石墨烯表面残留污染物，严重影响石墨烯场效应晶体管（GFET）的性能。

• 器件制备的需求：目前，为了保证转移后的石墨烯薄膜质量，要保证其洁净度与完整度，转移用的最多的还是1×1cm²的石墨烯薄膜。而GFET制备时，受限于石墨烯薄膜的尺寸，也只能用1×1cm²的石墨烯/衬底原片来制作，这样就影响了GFET的产量和后续工艺中套刻的精度。

大面积石墨烯无损洁净转移技术的研发目前面临以下几个主要技术难题：

1. 石墨烯是一种二维材料，具有非常高的比表面积和表面能，容易团聚和污染。在大面积转移过程中，如何保持石墨烯的均匀性和单层结构是一个挑战。

2. 石墨烯表面的缺陷和杂质会影响其性能和应用。在大面积转移过程中，如何减少石墨烯表面的缺陷和杂质，提高石墨烯的质量是一个挑战。

3. 石墨烯的大面积转移需要大量的时间和精力，如何提高转移效率，降低成本是一个挑战。

4. 现有的转移设备和技术可能无法满足大面积石墨烯转移的需求，是否需要开发新的设备和技术来实现这一目标。

针对大面积石墨烯无损洁净转移方法技术的研发，期望实现以下主要技术目标：

1. 提高转移效率：研发一种高效的大面积石墨烯无损洁净转移方法，能够在短时间内完成转移过程，提高生产效率。

2. 降低转移成本：通过改进转移方法和工艺，降低转移过程中的成本，使得该技术在大规模生产中具有可行性。

3. 实现无损洁净转移：研发一种能够实现无损洁净转移的方法，避免石墨烯在转移过程中受到损坏或污染，保证其质量和性能。

4. 提高转移质量：研发一种高质量的大面积石墨烯无损洁净转移方法，保证转移后的石墨烯具有良好的结构和性能。

5. 扩大应用范围：通过研发不同类型的转移方法和工艺，实现石墨烯在不同领域和应用中的转移和应用。