需求背景：

石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。实现晶圆级二维材料的无损、平整、洁净、少掺杂转移是二维材料面向集成光电子器件应用亟待解决的关键问题。梯度表面能调控（gradient surface energy modulation）的复合型转移媒介，可控调节转移过程中的表界面能，保证了晶圆级超平整石墨烯向目标衬底（SiO2/Si、蓝宝石）的干法贴合与无损释放，得到了晶圆级无损、洁净、少掺杂均匀的超平整石墨烯薄膜，展示了均匀的高迁移率器件输运性质，观测到室温量子霍尔效应及分数量子霍尔效应，并构筑了4英寸晶圆级石墨烯热电子发光阵列器件，在近红外波段表现出显著的辐射热效应。该转移方法具有普适性，也适用于其它晶圆级二维材料（如氮化硼）的转移。

难题描述：

1.石墨烯的制备方法繁多，但是没有一种方法可以完全满足集成光电器件的要求。如何优化和改进制备方法。

2.石墨烯集成光电器件需要在微纳尺度下进行设计和制备，这需要对器件结构和加工方法进行深入研究。

期望实现的技术目标：

1.提高光电器件的性能：通过将石墨烯与其他材料集成，可以提高光电器件的性能，例如提高光吸收率、减少能量损耗等。

2.实现高密度集成：晶圆转移技术可以在同一片晶圆上制造大量的光电器件，从而实现高密度集成。这有助于降低成本，减少器件尺寸，提高器件的可靠性。