需求背景：

研制芯片封装用高性能、低成本的高导热氮化硅基板，开展原料升级技术研究，提升热导率；改进烧结和热处理技术，实现长径比大的β相氮化硅。

需解决：

芯片研制性能低，成本高，无法提成热导率，较难改进烧结和热处理技术，影响产品尺寸、韧性和热导率。

技术目标：

氮化硅基板：

产品尺寸：190mm*139mm*0.32mm；

抗弯曲强度≥750Mpa；

断裂韧性≥6Mpa·m1/2；

热导率≥90W/m·k；

翘曲度≤0.6%；

表面粗糙度Ra≤0.6μm。

基板热导率达到国际先进水平。年产能10万片，相关产品销售收入100万元。