研发高热导率的氮化铝陶瓷材料，采用半导体制程工艺，在氮化铝陶瓷上进行图形化的电镀厚铜工艺技术开发，制备出高导热氮化铝陶瓷封装基板。通过相关的工艺技术研究，实现陶瓷表面精密线路图形制作，无氧铜分级磨抛精密加工以及电镀镍金的均匀性控制，在封装基板表面进行预置金锡工艺的开发，基于国产陶瓷封装基板完成封装可靠性验证。

需解决：

1、研发高热导率的氮化铝陶瓷材料，在氮化铝陶瓷上进行图形化的电镀厚铜工艺技术开发，制备出高导热氮化铝陶瓷封装基板。

2、镀层表面粗糙，影响成品的使用，造成一系列工艺的可控性

技术目标：

氮化铝陶瓷导热率：≥220W/m•K；

镀铜层厚度：75±15μm；

镀层表面粗糙度：Ra≤0.10μm；

贴片关键区域平面度：≤5μm；

镀层厚度：Ni（1~3μm），Au（0.8~1.5μm）；

金锡成分/厚度：75±5wt%，4~6μm；

温度循环次数：-40~125℃ 100次；

产能目标：500万/年。