碳化硅晶片(SiC) 材料是继硅（Si）和砷化镓（GaAs）以来的第三代半导体材料，具有宽带隙、高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速率以及极好的化学稳定性等优良特性，成为制作高温、高频、大功率、抗辐照器件的理想材料，在光电子和微电子领域，具有巨大的应用潜力。 PVT法生长的SiC晶片应用是极广的，无论是生长单晶所用籽晶，还是外延所需衬底用量都供不应求，这些应用对生长面的极性要求都非常严格。碳化硅晶片硅碳面的方法（SiC）单晶片具有硅(Si)面和碳(C)面两个极性面，现有的碳化硅晶片硅碳面的方法体生长方法的局限性，使得每产出约10个晶片就需要1个籽晶，作为籽晶的生长面的极性决定着生长晶体的晶型，生长的碳化硅晶片硅碳面的方法不同用途不同，故碳化硅晶片硅碳面的方法籽晶的生长面极性对生长单一晶型的碳化硅晶片硅碳面的方法体起着决定性作用。

1. 目前常规的技术会对晶片两表面造成至少40微米的损伤，腐蚀后的晶片要重新进行抛光才可再利用，且高达500摄氏度的熔融态的KOH不但对晶片破坏率大，以及开放状态下的熔融态强碱对操作人员有潜在的危险。 2. 在切片前对滚圆后的晶锭进行两次定向，磨出两个大小不同的直面，称为主副定位边，切片后按主副定位边排序确定硅碳面。但是这就需要进行两次定向磨定位边，为了分清主副，要把主定位边磨到副定位边长度的二倍之多，既费成本，又损晶锭。 3. 现有技术的另一缺点是用此晶片做籽晶所长的晶锭单晶区域不够圆且靠近主副定位边处缺陷相比其他区域较多，再者一但晶片破裂很难通过此法辨别其极性。

需要提供一种用于辨别碳化硅晶片硅碳面的方法，包括以下步骤：将机械精抛后的碳化硅晶片硅碳面进行化学抛光；在将化学抛光后的碳化硅晶片硅碳面用原子力显微镜测试其表面，在原子力显微镜上显示出所测试表面的粗糙度数值；若显示出的粗糙度数值在0.10～0.50nm之间，则所测试的表面为硅面；若显示出的粗糙度在0.80～3.00nm之间，则所测试的表面为碳面。 需要提供装置或技术的特点是既不多加工序也不损伤晶片，大大的降低了成本、提高制片的效率，且操作简单安全；同时能省去一个定位边，不但能减少再生长得到的晶体缺陷，提高晶体品质，而且与第一代半导体硅单晶片几何尺寸标准相匹配。