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多晶硅打压用单相干式变流变压器
基本信息
保定意源达电力设备制造有限公司
采用静电屏蔽层,消除了静电耦合作用,减缓低压侧可控硅导通(换挡)时对高压侧输出电压的影响,增强设备运行的可靠性;设计的压器低压绕组四个档位、高压绕组两个档位,通过调整高、低压档位使输出电压增加到八种,满足多晶硅打压使用的要求;通过触发脉冲控制双向可控硅逐渐导通,消除送电(合闸)励磁涌流。
人才需求(希望合作的领域专家):变压器方面专家。
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王伟
13831251823
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