面临的主要技术难题包括：

(1) 材料制备：拓扑晶体绝缘体纳米线的制备需要在非常小的尺度下实现，需要使用高度精密的制备技术。

(2) 物性表征：拓扑晶体绝缘体纳米线的独特物理性质需要使用特殊的表征技术进行研究，如 exafs、角分辨光电子能谱等。

(3) 器件设计：拓扑晶体绝缘体纳米线器件的设计需要考虑纳米线的形状、长度、直径等因素，以及器件的工作原理和性能指标等。

期望实现的主要技术目标包括：

(1) 成功制备出拓扑晶体绝缘体纳米线，尺寸均匀，性质稳定。

(2) 掌握拓扑晶体绝缘体纳米线的物性表征方法，了解其物理性质和电子结构。

(3) 设计和制备出拓扑晶体绝缘体纳米线器件，实现其在光学、电子学、信息技术等领域的应用。